Sonntag, 24. August 2008

Magnetischer Speicher holt auf: bald auf SRAM-Niveau

Die PTB hat erstmals den physikalisch schnellstmöglichen Schaltvorgang auf einer magnetischen Speicherzelle erreicht und damit die Grundlage für nicht-flüchtigen, nicht-degradierenden Arbeitsspeicher geschaffen.

Herkömmlicher Arbeitsspeicher hat das Problem, dass bei Verlust der Betriebsspannung die enthaltenen Informationen verloren gehen - ein Problem, dass jeder kennt, der sich bei Stromausfall schonmal über den Verlust des gerade im Entwurf befindlichen E-Briefs geärgert hat.

Magnetischer Speicher, hingegen, ist persistent - siehe herkömmliche Festplatten. Diese sind aber um viele Größenordnungen langsamer als der flüchtige Arbeitsspeicher, wären dementsprechend nicht als ebensolcher geeignet.

Die optimierte "Trimmung" des der "Umpolung" des Magnetspeichers zugrundeliegenden Prinzips macht es nun möglich, MRAM (vulgo: magnetischer RAM) als Arbeitsspeicher zu konzipieren, der schlussendlich die Vorzüge Schnelligkeit und Persistenz verbindet, und auch den Zerfalls-Nachteil von Flash-RAM vermisst, also quasi unendlich oft beschrieben werden kann.

1 Kommentar:

Julian hat gesagt…

Genial :D Mehr solche Einträge! Dein Blog wird immer interessanter.. ^^